En septiembre de 2024, el laboratorio encendió con éxito la fuente de luz láser integrada en el chip de silicio, lo que supone también la primera realización exitosa de esta tecnología en China.
Este logro utiliza la tecnología de integración heterogénea desarrollada por el Laboratorio Jiufengshan y completa el proceso de integración del láser de fosfuro de indio dentro de la oblea SOI de 8-pulgadas después de un proceso complejo.
Esta tecnología se conoce en la industria como "chip fuera de la luz", que utiliza señales ópticas con mejor rendimiento de transmisión para reemplazar las señales eléctricas para la transmisión, lo cual es un medio importante para subvertir la transmisión de datos de señales entre chips, y el propósito principal es resuelva el problema de que la señal eléctrica actual entre chips está cerca del límite físico.
Desempeñará un papel revolucionario en la promoción de centros de datos, centros informáticos, chips CPU/GPU, chips AI y otros campos.
Las interconexiones ópticas en chip basadas en integración optoelectrónica basada en silicio se consideran una solución ideal para superar los obstáculos del desarrollo de la tecnología de circuitos integrados en la era posterior a Moore, como el consumo de energía, el ancho de banda y la latencia.
En la actualidad, el desafío más difícil para el desarrollo de la plataforma totalmente integrada de fotónica de silicio radica en el desarrollo e integración del "corazón" de los chips de fotónica de silicio, es decir, la fuente de luz sobre el sustrato de silicio que pueda emitir luz con alta eficiencia. . Esta tecnología es uno de los pocos eslabones en blanco en el campo de la optoelectrónica en China.
El equipo de proceso de fotónica de silicio del Laboratorio Jiufengshan colaboró con socios para abordar problemas clave en obleas de fotónica de silicio de 8- pulgadas, granos epitaxiales de material láser III-V unidos de forma heterogénea y luego llevó a cabo un proceso de fabricación de dispositivo en chip compatible con CMOS. , que resolvió con éxito las dificultades del diseño y crecimiento de la estructura del material III-V, el bajo rendimiento de unión entre el material y la oblea y el control de grabado y patrón de oblea integrada heterogénea en el chip. Después de casi diez años de ponernos al día y abordar problemas clave, finalmente logramos encender el láser en la brillantina y realizamos la "luz del chip".
